WEKO3
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SiCツェナーダイオードの高温動作
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Item type | 会議発表論文 / Conference Paper(1) | |||||
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公開日 | 2015-03-26 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | SiCツェナーダイオードの高温動作 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | SiC, ツェナーダイオード, 高温, 高動作容量 | |||||
キーワード | ||||||
言語 | en | |||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | SiC, Zener diodes, high temperature, high power | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||
資源タイプ | conference paper | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
その他のタイトル(英) | ||||||
その他のタイトル | Electrical characteristics of SiC Zener diodes at high temperature | |||||
著者 |
石井, 竜介
× 石井, 竜介× 中山, 浩二× 菅原, 良孝× 土田, 秀一× Ishii, Ryusuke× Nakayama, Koji× Sugawara, Yoshitaka× Tsuchida, Hidekazu |
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著者所属 | ||||||
関西電力 | ||||||
著者所属 | ||||||
関西電力 | ||||||
著者所属 | ||||||
関西電力 | ||||||
著者所属 | ||||||
電力中央研究所 | ||||||
著者所属(英) | ||||||
en | ||||||
Kansai Electric Power | ||||||
著者所属(英) | ||||||
en | ||||||
Kansai Electric Power | ||||||
著者所属(英) | ||||||
en | ||||||
Kansai Electric Power | ||||||
著者所属(英) | ||||||
en | ||||||
Central Research Institute of Electric Power Industry | ||||||
出版者 | ||||||
出版者 | 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙科学情報解析センター | |||||
出版者(英) | ||||||
出版者 | The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) | |||||
書誌情報 |
高温エレクトロニクス研究会 en : ISAS Research Meeting on high Temperature Electronics 巻 18, p. 33-43, 発行日 2008-05 |
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会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第18回高温エレクトロニクス研究会. 日時: 2008年3月5日. 会場: 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 本発表では、従来のSiツェナーダイオードに比べて高い動作容量を有し、かつ高温領域でも安定した特性をもつSiCツェナーダイオードを実現したので、その結果を報告する。今回作製したSiCツェナーダイオードは、高ドーピング密度のpn接合界面および4mm×4mmの大きな通電面積を有しており、その絶縁破壊電圧の温度依存係数は、20~300℃で5.7×10(exp -5)1/Kと小さく、また矩形波(t(sub w)=1ms)の条件下で測定した動作容量は、20℃で6.3kW(40kW/cm2)、300℃でも6.0kW(38kW/cm2)と優れた電気特性を示した。 | |||||
抄録(英) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | The achievement of high-power SiC Zener diodes at high temperature has been reported. The SiC Zener diodes have a high-doped pn junction and a large active area of 4 mm x 4 mm. The temperature coefficient of the breakdown voltage is as small as 5.7 x 10(exp -5) 1/K (positive) in the temperature range 20-300 C. In addition, reverse power capabilities of 6.3 kW (40 kW/cm2) at 20 C and 6.0 kW (38 k/cm2) at 300 C during rectangular pulsed power operation (t(sub w) = 1 ms) have been achieved without device failure. | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA11987120 | |||||
資料番号 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 資料番号: AA0063966003 |