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titleSiCツェナーダイオードの高温動作
Other TitleElectrical characteristics of SiC Zener diodes at high temperature
Author(jpn)石井, 竜介; 中山, 浩二; 菅原, 良孝; 土田, 秀一
Author(eng)Ishii, Ryusuke; Nakayama, Koji; Sugawara, Yoshitaka; Tsuchida, Hidekazu
Author Affiliation(jpn)関西電力; 関西電力; 関西電力; 電力中央研究所
Author Affiliation(eng)Kansai Electric Power; Kansai Electric Power; Kansai Electric Power; Central Research Institute of Electric Power Industry
Issue Date2008-05
Publisher宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙科学情報解析センター
The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
Publication title高温エレクトロニクス研究会
ISAS Research Meeting on high Temperature Electronics
Volume18
Start page33
End page43
Publication date2008-05
Languagejpn
AbstractThe achievement of high-power SiC Zener diodes at high temperature has been reported. The SiC Zener diodes have a high-doped pn junction and a large active area of 4 mm x 4 mm. The temperature coefficient of the breakdown voltage is as small as 5.7 x 10(exp -5) 1/K (positive) in the temperature range 20-300 C. In addition, reverse power capabilities of 6.3 kW (40 kW/cm2) at 20 C and 6.0 kW (38 k/cm2) at 300 C during rectangular pulsed power operation (t(sub w) = 1 ms) have been achieved without device failure.
本発表では、従来のSiツェナーダイオードに比べて高い動作容量を有し、かつ高温領域でも安定した特性をもつSiCツェナーダイオードを実現したので、その結果を報告する。今回作製したSiCツェナーダイオードは、高ドーピング密度のpn接合界面および4mm×4mmの大きな通電面積を有しており、その絶縁破壊電圧の温度依存係数は、20~300℃で5.7×10(exp -5)1/Kと小さく、また矩形波(t(sub w)=1ms)の条件下で測定した動作容量は、20℃で6.3kW(40kW/cm2)、300℃でも6.0kW(38kW/cm2)と優れた電気特性を示した。
Description会議情報: 第18回高温エレクトロニクス研究会. 日時: 2008年3月5日. 会場: 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス
KeywordsSiC, Zener diodes, high temperature, high power; SiC, ツェナーダイオード, 高温, 高動作容量
Document TypeConference Paper
JAXA Categoryシンポジウム・研究会
NCIDAA11987120
SHI-NOAA0063966003
URIhttps://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/14501


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