JAXA Repository / AIREX 未来へ続く、宙(そら)への英知

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title放射線が発光デバイス(LED・レーザ)に与える影響
Other TitleRadiation effects on light emitting diodes and semiconductor lasers
Author(jpn)権田, 俊一
Author(eng)Gonda, Shunichi
Author Affiliation(jpn)福井工業大学
Author Affiliation(eng)Fukui University of Technology
Issue Date2009-06
PublisherInstitute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
Publication titleProceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics
高温エレクトロニクス研究会
Volume19
Publication date2009-06
Languagejpn
eng
AbstractThe effects of proton irradiation on the characteristics of LED and semiconductor lasers were discussed. In both devices small changes of Current-Voltage characteristics were observed. The light output of LED begins to decrease at a specific proton fluence. The spectra do not change in shape and the luminous intensity decreases. In semiconductor lasers the threshold currents increase with increasing proton fluence. Normalized threshold current is proportional to proton fluence. Proportional coefficient K (damage factor) is dependent on irradiation direction, laser materials and proton energy. These phenomena can be explained using the increase of nonradiative recombination centers made by irradiation. Anneal effects by the forward current were observed.
発光デバイス(LED・半導体レーザ)に放射線、特にプロトンを照射した場合の特性変化、回復効果について議論した。ともに電流-電圧特性は少し変化した。LEDの光出力は、ある特定の照射量から減少し始める。発光スペクトルは、どの波長でも一定の割合で強度が照射量とともに減少した。半導体レーザでは発振閾値電流が照射量とともに増加した。照射前の閾値電流で規格化した閾値電流は照射量に比例し、その比例係数K(損傷係数)は照射方向、レーザ材料、プロトンエネルギーなどに依存する。発振波長はほとんど変化がなかった。これらの現象は照射により非発光再結合中心が増加するとして説明できる。順方向電流による回復現象がある。
Description会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
Meeting Information: The 19th ISAS research meeting on High Temperature Electronics (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), March 12, 2009)
KeywordsLED, Semiconductor Lasers, Proton Irradiation, Radiation Hardness; LED、半導体レーザ、プロトン照射、放射線耐性
Document TypeConference Paper
JAXA Categoryシンポジウム・研究会
NCIDAA11987120
SHI-NOAA0064294002
URIhttps://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/16104


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