JAXA Repository / AIREX 未来へ続く、宙(そら)への英知

There are no files associated with this item.

title放射線が電子デバイスに与えるシングルイベント効果
Other TitleSingle event effects: Radiation effects on semiconductor devices
Author(jpn)小林, 大輔
Author(eng)Kobayashi, Daisuke
Author Affiliation(jpn)宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
Author Affiliation(eng)Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)
Issue Date2009-06
PublisherInstitute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
Publication titleProceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics
高温エレクトロニクス研究会
Volume19
Publication date2009-06
Languageeng
jpn
AbstractRadiation has crucial influences on reliability of semiconductor devices, causing their temporary and permanent failures. "Single event effects" are .one of important radiation effects for device reliability assessments. They are induced by only single particles of corpuscular radiation; highenergetic subatomic particles like alpha-particles and heavy ions. Among the single event effects, the following ones are surveyed in terms of their temperature dependence: (1) radiation-induced transient currents: transient currents observed in a pn-junction biased constantly in the reverse direction. (2) single-event transients: voltage transients in digital circuits. (3) single-event upsets: data upsets in memory elements, SRAM cells. Literatures indicate that temperature-dependent carrier-mobility degradation is one of key physical mechanisms determining temperature dependence of these single event effects.
放射線は,半導体デバイスに一時的または恒久的な動作不良を引き起こすため,デバイスの信頼性を左右する.アルファ線や重イオンによる粒子放射線は,粒子一つがデバイスに飛び込んだだけで,デバイスの誤動作や故障を引き起こす事ができる.この一つの粒子によってもたらされる放射線効果は「シングルイベント効果」と呼ばれ,信頼性を議論する際に考慮すべき重要なものである.シングルイベント効果の内,下記のものについて温度依存性の観点から調査した.(1)放射線誘起過渡電流:逆方向に一定電圧でバイアスされたpn接合で発生する過渡電流.(2)シングルイベント・トランジェント:デジタル回路で発生する電圧パルス.(3)シングルイベント・アップセット:SRAMセルの記憶データの反転.文献によると,これらの温度依存性はキャリアの温度上昇に伴う移動度低下で物理的に説明できるようである.
Description会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
Meeting Information: The 19th ISAS research meeting on High Temperature Electronics (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), March 12, 2009)
Document TypeConference Paper
JAXA Categoryシンポジウム・研究会
NCIDAA11987120
SHI-NOAA0064294001
URIhttps://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/17634


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.