JAXA Repository / AIREX 未来へ続く、宙(そら)への英知

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titleSOIデバイスのシングルイベント効果の特徴
Other TitleSingle event effects on SOI devices
Author(jpn)高橋, 芳浩
Author(eng)Takahashi, Yoshihiro
Author Affiliation(jpn)日本大学
Author Affiliation(eng)Nihon University
Issue Date2009-06
PublisherInstitute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
Publication titleProceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics
高温エレクトロニクス研究会
Volume19
Publication date2009-06
Languagejpn
eng
AbstractOne of the most detrimental effects on semiconductor devices in radiation environments are single-event effects (SEE). When a high-energy heavy ion strikes the device, electron-hole pairs are generated along the ion-track and they can create sufficient transient current to cause an incorrect device response such as a single-event upset (SEU). Silicon-on-insulator (SOI) technology has been developed to reduce SEE in devices, because it was believed that the charge collection is suppressed by the existence of a buried oxide layer. However, anomalous charge collection in a SOI device was reported, In this presentation, we show the collection mechanism of heavy-ion induced charges through an oxide layer, and the single event transient behavior of SOI-CMOS inverter in order to discuss the single event effects on SOI devices.
宇宙空間など放射線環境下で半導体デバイスを使用する場合,重イオンなど高速粒子線の照射によって過渡電流が発生し,メモリ内容の反転や一時的な誤動作(シングルイベント現象)が引き起こされる.一方SOIデバイスは,能動領域の半導体厚を薄くできるため照射誘起電流を抑制でき,シングルイベント耐性向上が期待される.しかし,重イオン照射によりSOI層内で発生した電荷量を越える電荷収集が観測されることも報告されている.ここでは,酸化膜を介した放射線照射誘起電荷の収集機構や,照射によるSOI-CMOSインバータ出力の過渡的変動など,SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴について示す.
Description会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
Meeting Information: The 19th ISAS research meeting on High Temperature Electronics (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), March 12, 2009)
Document TypeConference Paper
JAXA Categoryシンポジウム・研究会
NCIDAA11987120
SHI-NOAA0064294005
URIhttps://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/22150


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