WEKO3
アイテム
{"_buckets": {"deposit": "b8218eef-75d8-4d75-90bf-310ea11068a1"}, "_deposit": {"created_by": 1, "id": "17561", "owners": [1], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "17561"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00017561", "sets": ["1719", "1891"]}, "author_link": ["158970", "158971"], "item_5_alternative_title_2": {"attribute_name": "その他のタイトル(英)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_alternative_title": "Single event effects on SOI devices"}]}, "item_5_biblio_info_10": {"attribute_name": "書誌情報", "attribute_value_mlt": [{"bibliographicIssueDates": {"bibliographicIssueDate": "2009-06", "bibliographicIssueDateType": "Issued"}, "bibliographicVolumeNumber": "19", "bibliographic_titles": [{"bibliographic_title": "高温エレクトロニクス研究会"}, {"bibliographic_title": "Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics", "bibliographic_titleLang": "en"}]}]}, "item_5_description_14": {"attribute_name": "会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_5_description_15": {"attribute_name": "会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等)(英)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "The 19th ISAS research meeting on High Temperature Electronics (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), March 12, 2009)", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_5_description_16": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "宇宙空間など放射線環境下で半導体デバイスを使用する場合,重イオンなど高速粒子線の照射によって過渡電流が発生し,メモリ内容の反転や一時的な誤動作(シングルイベント現象)が引き起こされる.一方SOIデバイスは,能動領域の半導体厚を薄くできるため照射誘起電流を抑制でき,シングルイベント耐性向上が期待される.しかし,重イオン照射によりSOI層内で発生した電荷量を越える電荷収集が観測されることも報告されている.ここでは,酸化膜を介した放射線照射誘起電荷の収集機構や,照射によるSOI-CMOSインバータ出力の過渡的変動など,SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴について示す.", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_5_description_17": {"attribute_name": "抄録(英)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "One of the most detrimental effects on semiconductor devices in radiation environments are single-event effects (SEE). When a high-energy heavy ion strikes the device, electron-hole pairs are generated along the ion-track and they can create sufficient transient current to cause an incorrect device response such as a single-event upset (SEU). Silicon-on-insulator (SOI) technology has been developed to reduce SEE in devices, because it was believed that the charge collection is suppressed by the existence of a buried oxide layer. However, anomalous charge collection in a SOI device was reported, In this presentation, we show the collection mechanism of heavy-ion induced charges through an oxide layer, and the single event transient behavior of SOI-CMOS inverter in order to discuss the single event effects on SOI devices.", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_5_description_32": {"attribute_name": "資料番号", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "資料番号: AA0064294005", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_5_publisher_8": {"attribute_name": "出版者", "attribute_value_mlt": [{"subitem_publisher": "宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部"}]}, "item_5_publisher_9": {"attribute_name": "出版者(英)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_publisher": "Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)"}]}, "item_5_source_id_24": {"attribute_name": "書誌レコードID", "attribute_value_mlt": [{"subitem_source_identifier": "AA11987120", "subitem_source_identifier_type": "NCID"}]}, "item_5_text_35": {"attribute_name": "JAXAカテゴリ", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "JAXAカテゴリ: シンポジウム・研究会"}]}, "item_5_text_36": {"attribute_name": "JAXAカテゴリ2", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "JAXAカテゴリ2: IS"}]}, "item_5_text_42": {"attribute_name": "シンポジウム区分", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "シンポジウム区分: 014"}]}, "item_5_text_43": {"attribute_name": "DSpaceコレクション番号", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "DSpaceコレクション番号: 7"}]}, "item_5_text_6": {"attribute_name": "著者所属", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "日本大学"}]}, "item_5_text_7": {"attribute_name": "著者所属(英)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_language": "en", "subitem_text_value": "Nihon University"}]}, "item_access_right": {"attribute_name": "アクセス権", "attribute_value_mlt": [{"subitem_access_right": "metadata only access", "subitem_access_right_uri": "http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "高橋, 芳浩"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "158970", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Takahashi, Yoshihiro", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "158971", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "conference paper", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_5794"}]}, "item_title": "SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴"}]}, "item_type_id": "5", "owner": "1", "path": ["1719", "1891"], "permalink_uri": "https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/17561", "pubdate": {"attribute_name": "公開日", "attribute_value": "2015-03-26"}, "publish_date": "2015-03-26", "publish_status": "0", "recid": "17561", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴"], "weko_shared_id": -1}
SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/17561
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/17561ca385d0d-0e92-41b2-862d-419ae4b6192b
Item type | 会議発表論文 / Conference Paper(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2015-03-26 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||
資源タイプ | conference paper | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
その他のタイトル(英) | ||||||
その他のタイトル | Single event effects on SOI devices | |||||
著者 |
高橋, 芳浩
× 高橋, 芳浩× Takahashi, Yoshihiro |
|||||
著者所属 | ||||||
日本大学 | ||||||
著者所属(英) | ||||||
en | ||||||
Nihon University | ||||||
出版者 | ||||||
出版者 | 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部 | |||||
出版者(英) | ||||||
出版者 | Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) | |||||
書誌情報 |
高温エレクトロニクス研究会 en : Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics 巻 19, 発行日 2009-06 |
|||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス) | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等)(英) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | The 19th ISAS research meeting on High Temperature Electronics (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), March 12, 2009) | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 宇宙空間など放射線環境下で半導体デバイスを使用する場合,重イオンなど高速粒子線の照射によって過渡電流が発生し,メモリ内容の反転や一時的な誤動作(シングルイベント現象)が引き起こされる.一方SOIデバイスは,能動領域の半導体厚を薄くできるため照射誘起電流を抑制でき,シングルイベント耐性向上が期待される.しかし,重イオン照射によりSOI層内で発生した電荷量を越える電荷収集が観測されることも報告されている.ここでは,酸化膜を介した放射線照射誘起電荷の収集機構や,照射によるSOI-CMOSインバータ出力の過渡的変動など,SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴について示す. | |||||
抄録(英) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | One of the most detrimental effects on semiconductor devices in radiation environments are single-event effects (SEE). When a high-energy heavy ion strikes the device, electron-hole pairs are generated along the ion-track and they can create sufficient transient current to cause an incorrect device response such as a single-event upset (SEU). Silicon-on-insulator (SOI) technology has been developed to reduce SEE in devices, because it was believed that the charge collection is suppressed by the existence of a buried oxide layer. However, anomalous charge collection in a SOI device was reported, In this presentation, we show the collection mechanism of heavy-ion induced charges through an oxide layer, and the single event transient behavior of SOI-CMOS inverter in order to discuss the single event effects on SOI devices. | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA11987120 | |||||
資料番号 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 資料番号: AA0064294005 |