JAXA Repository / AIREX 未来へ続く、宙(そら)への英知

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titleAssessment of Au-Ge Die Attachment for an Extended Junction Temperature Range in Power Applications
Other Title-次世代電力変換器用途- SiC用高温Au-Geダイボンドとその信頼性評価
Author(jpn)谷本, 智; 松井, 康平; 村上, 善則; 山口, 浩; 奥村, 元
Author(eng)Tanimoto, Satoshi; Matsui, Kohei; Murakami, Yoshinori; Yamaguchi, Hiroshi; Okumura, Hajime
Author Affiliation(jpn)日産自動車株式会社 総合研究所 EVシステム : 研究所技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 第3研究センター; 富士電機 : 研究所技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 第3研究センター; 日産自動車株式会社 総合研究所 EVシステム : 研究所技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 第3研究センター; 産業技術総合研究所 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ; 産業技術総合研究所 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
Author Affiliation(eng)Nissan Research Center (NRC), Nissan Motor Co., Ltd. : R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (FUPET) c/o AIST; Advanced Technology Laboratry, Fuji Electric Holdings Co, Ltd. : R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (FUPET) c/o AIST; Nissan Research Center (NRC), Nissan Motor Co., Ltd. : R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (FUPET) c/o AIST; Energy Semiconductor Electronics Research Laboratory (ESERL), AIST; Energy Semiconductor Electronics Research Laboratory (ESERL), AIST
Issue Date2011-04
Publisher宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所 (JAXA)(ISAS)
Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)
Publication title第21回高温エレクトロニクス研究会
Proceedings of the 21st ISAS Research Meeting on HIGH TEMPERATURE ELECTRONICS
Start page5
End page13
Publication date2011-04
Languageeng
Description会議情報: 第21回高温エレクトロニクス研究会(2011年3月2日. 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所(JAXA)(ISAS)), 相模原市, 神奈川県
Meeting Information: The 21st ISAS Research Meeting on High Temperature Electronics (March 2, 2011. Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)(ISAS)), Sagamihara, Kanagawa Japan
KeywordsHigh temperature; Power device; SiC; Au-Ge; Die attachment; Ceramic substrate
Document TypeConference Paper
JAXA Categoryシンポジウム・研究会
SHI-NOSA6000018002
URIhttps://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/3812


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