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1. 放射線が電子デバイスに与えるシングルイベント効果 Single event effects: Radiation effects on semiconductor devices
(著者名) 小林, 大輔
(Author) Kobayashi, Daisuke
(内容記述) 会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
(文献種別) Conference Paper
(刊行物名) 高温エレクトロニクス研究会(Journal Name) Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics(巻) 19(刊行年月日) 2009-06
(抄録) Radiation has crucial influences on reliability of semiconductor devices, causing their temporary an...
(言語) eng(資料番号) AA0064294001
2. 放射線が発光デバイス(LED・レーザ)に与える影響 Radiation effects on light emitting diodes and semiconductor lasers
(著者名) 権田, 俊一
(Author) Gonda, Shunichi
(内容記述) 会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
(文献種別) Conference Paper
(刊行物名) 高温エレクトロニクス研究会(Journal Name) Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics(巻) 19(刊行年月日) 2009-06
(抄録) The effects of proton irradiation on the characteristics of LED and semiconductor lasers were discus...
(言語) jpn(資料番号) AA0064294002
3. 民生利用での放射線(中性子)の問題: 地上における半導体デバイスの宇宙線中性子エラー Terrestrial neutron-induced soft-errors in commercial memory devices and systems
(著者名) 矢作, 保夫
(Author) Yahagi, Yasuo
(内容記述) 会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
(文献種別) Conference Paper
(刊行物名) 高温エレクトロニクス研究会(Journal Name) Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics(巻) 19(刊行年月日) 2009-06
(抄録) Scaling of semiconductor devices down to sub-100 nm technologies has raised a problem that the impac...
(言語) jpn(資料番号) AA0064294003
4. ディペンダブルVLSIの現状と課題: 集積回路のエラー耐性を高める回路構造 Dependable VLSI: Radiation hardening b circuit design
(著者名) 小林, 和淑
(Author) Kobayashi, Kazutoshi
(文献種別) Conference Paper
(刊行物名) 高温エレクトロニクス研究会(Journal Name) Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics(巻) 19(ページ) 50-61(刊行年月日) 2009-06
(抄録) 会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
(言語) jpn(資料番号) AA0064294004
5. SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴 Single event effects on SOI devices
(著者名) 高橋, 芳浩
(Author) Takahashi, Yoshihiro
(内容記述) 会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
(文献種別) Conference Paper
(刊行物名) 高温エレクトロニクス研究会(Journal Name) Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics(巻) 19(刊行年月日) 2009-06
(抄録) One of the most detrimental effects on semiconductor devices in radiation environments are single-ev...
(言語) jpn(資料番号) AA0064294005
6. SOIデバイスのシングルイベントエラーレートの計測と予測 Measurement and estimation of soft error rates
(著者名) 牧野, 高絋
(Author) Makino, Takahiro
(文献種別) Conference Paper
(刊行物名) 高温エレクトロニクス研究会(Journal Name) Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics(巻) 19(ページ) 79-88(刊行年月日) 2009-06
(抄録) 会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
(言語) jpn(資料番号) AA0064294006
7. SiCデバイスのはじき出し損傷効果とシングルイベント効果 Displacement damege and single event effects on SiC devices
(著者名) 小野田, 忍; 岩本, 直也; 児島, 一聡; ほか
(Author) Onoda, Shinobu; Iwamoto, Naoya; Kojima, Kazutoshi; et al.
(内容記述) 会議情報: 第19回高温エレクトロニクス研究会(2009年3月12日, 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス)
(文献種別) Conference Paper
(刊行物名) 高温エレクトロニクス研究会(Journal Name) Proceedings of ISAS research meeting on High Temperature Electronics(巻) 19(刊行年月日) 2009-06
(抄録) Silicon Carbide (SiC) is one of the most candidate semiconductor materials for high-power and rad-ha...
(言語) jpn(資料番号) AA0064294007
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