| タイトル | ナノ・バイオ融合研究: バクテリオロドプシン薄膜の評価技術 |
| その他のタイトル | Research Integration of Nanotechnology and Biotechnology: Evaluation Techniques of Bacteriorhodopsin Thin Films |
| 著者（日） | 山田, 俊樹; 春山, 喜洋; 笠井, 克幸; 照井, 通文; 田中, 秀吉; 梶, 貴博; 大友, 明 |
| 著者（英） | Yamada, Toshiki; Haruyama, Yoshihiro; Kasai, Katsuyuki; Terui, Toshifumi; Tanaka, Shukichi; Kaji, Takahiro; Otomo, Akira |
| 著者所属（日） | 情報通信研究機構未来ICT研究所ナノICT研究室(NICT); 情報通信研究機構未来ICT研究所ナノICT研究室(NICT); 情報通信研究機構未来ICT研究所ナノICT研究室(NICT); 情報通信研究機構経営企画部企画戦略室(NICT); 情報通信研究機構未来ICT研究所ナノICT研究室(NICT) : 情報通信研究機構テラヘルツ研究センターテラヘルツ連携研究室(NICT); 情報通信研究機構未来ICT研究所ナノICT研究室(NICT); 情報通信研究機構未来ICT研究所ナノICT研究室(NICT) |
| 著者所属（英） | Nano ICT Laboratory, Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT); Nano ICT Laboratory, Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT); Nano ICT Laboratory, Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT); Strategic Planning Office, Strategic Planning Department, National Institute of Information and Communications Technology (NICT); Nano ICT Laboratory, Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT) : Collaborative Research Laboratory of Terahertz Technology, Terahertz Technology Research Center, National Institute of Information and Communications Technology (NICT); Nano ICT Laboratory, Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT); Nano ICT Laboratory, Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 発行日 | 2013-07 |
| 発行機関など | 情報通信研究機構(NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 刊行物名 | 情報通信研究機構研究報告
Journal of the National Institute of Information and Communications Technology |
| 巻 | 59 |
| 号 | 1 |
| 開始ページ | 69 |
| 終了ページ | 72 |
| 刊行年月日 | 2013-07 |
| 言語 | jpn |
| 抄録 | バクテリオロドプシン（bR）は光駆動のプロトンポンプ機能を有しており、bR薄膜を用いた光センサーデバイスは光照射のON或いはOFFの下で、時間微分型の光応答電流を発する。デバイスの性能評価を行う、あるいは光応答電流の起源を明らかにするうえで、bR薄膜中のbRの配向を明らかにすることは重要である。本稿では光第2次高調発生干渉法を用いて、ディップコーティング法により作製されたbR薄膜が、キラルで極性を有するC infinityの対称性を持つことを示す。更にbR薄膜中のbRの絶対的配向についても議論を行う。 |
| 内容記述 | 形態: カラー図版あり
Physical characteristics: Original contains color illustrations |
| 資料種別 | Technical Report |
| ISSN | 2187-767X |
| NCID | AA12625974 |
| SHI-NO | AA0061968011 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/18973 |
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