rfマグネトロンスパッタリングによる酸化亜鉛薄膜の成膜速度

Abstract

A reestimation of the deposition rate of zinc oxide films prepared by rf planar magnetron sputtering was made from three kinds of zinc oxide targets as a function of Ar sputtering gas pressure, rf power, deposition period, or substrate temperature. As results, it was found that the change in Ar gas pressure gave rise to change in the d.c. bias voltage (V(sub dc)) applied to the target as well as in the mean free path of sputtered particles, and therefore the deposition rate varied with Ar pressure (p) as a function of (V(sub dc))/p.

3種類の酸化亜鉛ターゲットからrf平面マグネトロンスパッタリングにより作成した酸化亜鉛膜の成膜速度を、Arスパッタリングガス圧力、rf出力、成膜時間、および基板温度の関数として調べた。その結果、Arガス圧力の変化は、ターゲットにかけられた直流バイアス電圧(V)ならびにスパッタ粒子の平均自由行程に変化を与えることが分かった。したがって成膜速度はAr圧力(p)に従ってV/pの関数として変化する。