| タイトル | Kinetics of submonolayer oxide decomposition on Si(111) studied with SHG |
| その他のタイトル | SHGによるSi(111)上のサブ単層酸化物分解の動的過程の研究 |
| 著者（日） | Shklyaev,A.A.; 青野 正和; 鈴木 隆則 |
| 著者（英） | Shklyaev, Alexander A.; Aono, Masakazu; Suzuki, Takanori |
| 著者所属（日） | 理化学研究所 マイクロ波物理研究室; 理化学研究所 レーザー科学研究グループ; 理化学研究所 レーザー科学研究グループ |
| 著者所属（英） | Institute of Physical and Chemical Research Microwave Physics Laboratory; Institute of Physical and Chemical Research Laser Science Research Group; Institute of Physical and Chemical Research Laser Science Research Group |
| 発行日 | 1996-09-30 |
| 刊行物名 | Laser Science Progress Report of RIKEN
レーザー科学研究 |
| 号 | 18 |
| 開始ページ | 89 |
| 終了ページ | 91 |
| 刊行年月日 | 1996-09-30 |
| 言語 | eng |
| 抄録 | The decomposition kinetics of oxide with a coverage of 0.1, 0.3, and 0.5 ML (Monolayer), grown by oxidation of the Si(111)-7 x 7 surface at temperatures between 550 and 800 C for oxygen pressures between 3 x 10(exp -8) and 2 x 10(exp -6) Torr, is investigated with optical Second-Harmonic Generation (SHG). It is shown that the oxide decomposition kinetics strongly depends on both the density of oxide clusters and the oxide structure in the clusters.
3×10{-8}Torrから2×10{-6}Torrまでの酸素圧力に対して、550度Cから800度Cまでの温度でSi(111)-7×7表面を酸化させて成長させた0.1、0.3および0.5ML(単層)の範囲の酸化物の分解の動的過程を光学的第2高調波発生(SHG)法を用いて調べた。酸化物分解の動的過程は、酸化物クラスタの密度とクラスタ内の酸化物の構造に強く依存することがわかった。 |
| キーワード | surface SHG method; surface second harmonic generation method; Si(111) 7 x 7 surface structure; crystal structure; submonolayer; oxide decomposition; kinetic process; oxygen pressure; pressure dependence; temperature dependence; oxide cluster density; structure of oxide in cluster; oxide growth rate; oxide decomposition rate; 表面SHG法; 表面第2高調波発生法; Si(111)-7×7表面構造; 結晶構造; サブ単層; 酸化物分解; 動的過程; 酸素圧力; 圧力依存性; 温度依存性; 酸化物クラスタ密度; クラスタ内酸化物構造; 酸化物成長速度; 酸化物分解速度 |
| 資料種別 | Technical Report |
| ISSN | 0289-8411 |
| SHI-NO | AA0000558031 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/29395 |
