タイトル | An electronic evidence of asymmetry in the Si(111) square root of 3 x square root of 3-Ag structure |
その他のタイトル | Si(111)√3×√3-Ag構造における非対称性の電子的証拠 |
著者(日) | 松田 巌; 守川 春雲; Liu, Canhua; 大内 暁; 長谷川 修司; 奥田 太一; 木下 豊彦; Lay, Guy Le |
著者(英) | Matsuda, Iwao; Morikawa, Harumo; Liu, Canhua; Ouchi, Satoru; Hasegawa, Shuji; Okuda, Taichi; Kinoshita, Toyohiko; Lay, Guy Le |
著者所属(日) | 東京大学 理学部 物理学科; 東京大学 理学部 物理学科; 東京大学 理学部 物理学科; 東京大学 理学部 物理学科; 東京大学 理学部 物理学科; 東京大学物性研究所 軌道放射物性研究施設; 東京大学物性研究所 軌道放射物性研究施設; CNRS CRMC2 |
著者所属(英) | University of Tokyo Department of Physics, School of Science; University of Tokyo Department of Physics, School of Science; University of Tokyo Department of Physics, School of Science; University of Tokyo Department of Physics, School of Science; University of Tokyo Department of Physics, School of Science; Institute for Solid State Physics, University of Tokyo Synchrotron Radiation Laboratory; Institute for Solid State Physics, University of Tokyo Synchrotron Radiation Laboratory; Centre National de la Recherche Scientifique CRMC2 |
発行日 | 2003-11 |
刊行物名 | Activity Report of Synchrotron Radiation Laboratory 2002 Activity Report of Synchrotron Radiation Laboratory 2002 |
開始ページ | 68 |
終了ページ | 69 |
刊行年月日 | 2003-11 |
言語 | eng |
キーワード | Si; electronic structure; Ag; binding energy; STM; superstructure; monolayer; metal semiconductor interface; シリコン; 電子構造; 銀; 結合エネルギー; STM; 超構造; 単層; 金属・半導体界面 |
資料種別 | Technical Report |
SHI-NO | AA0047125001 |
URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/29825 |