| タイトル | X線光電子分光法(XPS)による(NH4)2S(x)処理InSb(001)表面の研究 |
| その他のタイトル | X-ray photoelectron spectroscopic study of (NH4)2S(x)-treated InSb(001) surfaces |
| 著者（日） | 鈴木 佳子; 市川 祐永; 内海 信弘; 眞田 則明; 福田 安生; 山口 十六夫; Gong, Xiuying |
| 著者（英） | Suzuki, Yoshiko; Ichikawa, Sukenori; Utsumi, Nobuhiro; Sanada, Noriaki; Fukuda, Yasuo; Yamaguchi, Tomuo; Gong, Xiuying |
| 著者所属（日） | 静岡大学電子工学研究所; 鋼管計測 分析センター; 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所; 浜松ホトニクス 中央研究所 |
| 著者所属（英） | Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Kokan Keisoku Analytical Center; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Hamamatsu Photonics Central Research Laboratory |
| 発行日 | 1998-03-16 |
| 刊行物名 | 静岡大学電子工学研究所研究報告
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 巻 | 32 |
| 開始ページ | 19 |
| 終了ページ | 24 |
| 刊行年月日 | 1998-03-16 |
| 言語 | jpn |
| 抄録 | An InSb(001) surface treated by (NH4)2S(x) solution has been studied by XPS, IPES (Inverse Photoemission Spectroscopy), LEED (Low Energy Electron Diffraction), RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction), and AES (Auger Electron Spectroscopy). Sulfur is bonded with both In and Sb atoms. It is estimated to penetrated about ten monolayers into the bulk at RT (Room Temperature). Sulfur bonded with Sb atoms is transferred to In atoms at about 250 C, forming an In-S bond. A (2 x 1) surface structure is formed upon annealing at about 340 C. The IPES result shows that the (NH4)2S(x) treatment reduces the density of unoccupied dangling bond states of indium atoms, leading to passivation of the InSb (001) surface. The model of the (2 x 1) surface structure is proposed.
(NH4)2S(x)で処理したInSb(001)表面をXPS、IPES(逆光電子分光)、LEED(低速電子線回折)、RHEED(反射高速電子線回折)およびAES(オージェ分光法)により研究した。硫黄をIn原子およびSb原子と結合した。硫黄は室温で約10原子層浸透すると推定した。Sb原子と結合した硫黄は約250度CでIn原子に移動し、In-S結合を形成する。約340度Cでのアニーリングにより(2×1)表面構造を形成した。IPES結果により、(NH4)2S(x)処理はIn原子の非占有ダングリングボンド状態の密度を低減し、InSb(001)表面の不動態化に導くことがわかった。(2×1)表面構造のモデルを提案した。 |
| キーワード | indium antimonide; sulfurization treatment; passivation; ammonium sulfide; indium dangling bond; surface electronic structure; unoccupied electronic state; アンチモン化インジウム; 硫化処理; 不動態化; 硫化アンモニウム; インジウムダングリングボンド; 表面電子構造; 非占有電子状態 |
| 資料種別 | Technical Report |
| ISSN | 0286-3383 |
| SHI-NO | AA0001336004 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/31634 |
