| タイトル | Thermally stable C60 nanowires on S[lc]i substrates |
| その他のタイトル | シリコン基板上の熱安定なC60ナノワイヤ |
| 著者（日） | 中山 知信; 中谷 真人; 青野 正和 |
| 著者（英） | Nakayama, Tomonobu; Nakaya, Masato; Aono, Masakazu |
| 著者所属（日） | 理化学研究所 表面界面工学研究室; 理化学研究所 表面界面工学研究室; 理化学研究所 表面界面工学研究室 |
| 著者所属（英） | Institute of Physical and Chemical Research Surface and Interface Laboratory; Institute of Physical and Chemical Research Surface and Interface Laboratory; Institute of Physical and Chemical Research Surface and Interface Laboratory |
| 発行日 | 2002-03 |
| 発行機関など | Institute of Physical and Chemical Research |
| 刊行物名 | RIKEN Review
RIKEN Review |
| 号 | 45 |
| 開始ページ | 3 |
| 終了ページ | 5 |
| 刊行年月日 | 2002-03 |
| 言語 | eng |
| 抄録 | C60 nanowires have been formed on Si substrates using selective adsorption of C60 at the steps on the Si(111)-square root of 3-Ag surface. The use of the misoriented Si(111) wafer made it possible to produce an array of C60 nanowires of 2 to 5 nanometers in width and height and more than one micrometer in length. The nanowire produced was found to tolerate high-temperature processing of up to 7,000 C, therefore the Ag atoms on the surface could be removed while leaving the C60 nanowires on the Si(111) substrate. |
| キーワード | fullerene nanowire; silicon substrate; thermal stability; nanoscale device; nanoscale carbon material; semiconductor; superconductor; high temperature; STM; research and development; フラーレン・ナノワイヤ; シリコン基板; 温度安定性; ナノスケールデバイス; ナノスケール炭素材料; 半導体; 超伝導体; 高温; STM; 研究開発 |
| 資料種別 | Technical Report |
| ISSN | 0919-3405 |
| SHI-NO | AA0032696001 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/33701 |
