タイトル | First-principles calculations of electron localization at defects in SrTiO3 |
その他のタイトル | SrTiO3の欠陥における電子局在化の第1原理計算 |
著者(日) | 内田 和之; 常行 真司 |
著者(英) | Uchida, Kazuyuki; Tsuneyuki, Shinji |
著者所属(日) | 東京大学 大学院理学系研究科; 東京大学 大学院理学系研究科 |
著者所属(英) | University of Tokyo Graduate School of Science; University of Tokyo Graduate School of Science |
発行日 | 2004-05-31 |
刊行物名 | Activity Report 2003: Materials Design and Characterization Laboratory, Super Computer Center Activity Report 2003: Materials Design and Characterization Laboratory, Super Computer Center |
開始ページ | 60 |
終了ページ | 61 |
刊行年月日 | 2004-05-31 |
言語 | eng |
キーワード | electron localization; ferroelectric instability; structural instability; photoirradiation; carrier doping; defect; computation; SrTiO3; 電子局在化; 強誘電体不安定性; 構造不安定性; 光照射; キャリアドーピング; 欠陥; 計算; SrTiO3 |
資料種別 | Technical Report |
SHI-NO | AA0047126009 |
URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/34492 |