| タイトル | 低熱膨張材を用いたC-band RFパルスコンプレッサーの開発 |
| その他のタイトル | Development of C-band pulse compressor using low thermal expansion material |
| 著者（日） | 吉田 光宏; 新竹 積; 松本 浩 |
| 著者（英） | Yoshida, Mitsuhiro; Shintake, Tsumoru; Matsumoto, Hiroshi |
| 著者所属（日） | 東京大学 素粒子物理国際研究センター; 高エネルギー加速器研究機構; 高エネルギー加速器研究機構 |
| 著者所属（英） | University of Tokyo International Center for Elementary Particle Physics; High Energy Accelerator Research Organization; High Energy Accelerator Research Organization |
| 発行日 | 2001-08-01 |
| 刊行物名 | 第26回リニアック技術研究会
Proceedings of the 26th Linear Accelerator Meeting in Japan |
| 開始ページ | 88 |
| 終了ページ | 90 |
| 刊行年月日 | 2001-08-01 |
| 言語 | jpn |
| 抄録 | 極低熱膨張材であるスーパーインバーをマイクロ波蓄積空洞の母材として用いたRFパルスコンプレッサーの開発を行っている。RFパルスコンプレッサーは常伝導の加速器コンポーネントの中では最も高いQ値を持つ空洞が必要なデバイスであり、温度変化に敏感である。このような高いQ値の空洞に対して温度安定化や冷却機構を簡略化するための手段としては、熱膨張率の低い材料を使用するのが最も有効である。近年、銅電鋳技術の進歩により、電鋳層を無酸素銅と同等の性能の高純度銅にする事ができるようになり、このような高いQ値が必要なデバイスにも銅メッキ空洞を用いる事ができるようになった。今回の開発は、この高純度銅メッキをスーパーインバーの内面に施して、マイクロ波空洞の温度安定化や冷却機構の簡略化を図り、飛躍的な性能向上を目指すものである。また、この温度安定化によりさらに高いQ値の空洞制作の可能性を示すものである。 |
| キーワード | low thermal conductivity material; C band RF; pulse compressor; Q value; super inverter; resonant frequency; temperature dependence; systems engineering; 低熱伝導材; CバンドRF; パルスコンプレッサー; Q値; スーパーインバーター; 共振周波数; 温度依存性; システムエンジニアリング |
| 資料種別 | Conference Paper |
| SHI-NO | AA0033475030 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/35219 |
