AIREX: Growth of F[lc]e silicide films on S[lc]i(111)7 x 7, S[lc]i(111)1 x 1-H and S[lc]i(111) square root of 3 x square root of 3-B surfaces

タイトル	Growth of F[lc]e silicide films on S[lc]i(111)7 x 7, S[lc]i(111)1 x 1-H and S[lc]i(111) square root of 3 x square root of 3-B surfaces
その他のタイトル	Si(111)7x7、Si(111)1x1-H、およびSi(111)square-root of 3x square-root of 3表面での鉄ケイ化物の成長
著者（日）	脇田　高徳; 小野　雅紀; 奥田　太一; 原沢　あゆみ; 松島　毅; 東山　和幸; 長谷川　幸雄; 木下　豊彦
著者（英）	Wakita, Takanori; Ono, Masaki; Okuda, Taichi; Harasawa, Ayumi; Matsushima, Takeshi; Higashiyama, Kazuyuki; Hasegawa, Yukio; Kinoshita, Toyohiko
著者所属（日）	東京大学物性研究所; 東京大学物性研究所; 東京大学物性研究所; 東京大学物性研究所; 東京大学物性研究所; 筑波大学物理学系; 東京大学物性研究所; 東京大学物性研究所
著者所属（英）	Institute for Solid State Physics, University of Tokyo; Institute for Solid State Physics, University of Tokyo; Institute for Solid State Physics, University of Tokyo; Institute for Solid State Physics, University of Tokyo; Institute for Solid State Physics, University of Tokyo; University of Tsukuba Institute of Physics; Institute for Solid State Physics, University of Tokyo; Institute for Solid State Physics, University of Tokyo
発行日	2002-11
刊行物名	Activity Report of Synchrotron Radiation Laboratory 2001 Activity Report of Synchrotron Radiation Laboratory 2001
開始ページ	88
終了ページ	89
刊行年月日	2002-11
言語	eng
キーワード	ARPES; Fe silicide; Si surface; Photon Factory; substrate; photoelectric emission; annealing; research and development; valence band; ARPES; Feシリサイド; Si表面; フォトンファクトリー; 基板; 光電子放出; アニーリング; 研究開発; バレンスバンド
資料種別	Technical Report
SHI-NO	AA0035973005
URI	https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/35391