| タイトル | 高分解X線光電子分光(XPS)による(NH4)2Sx処理InAs(001)表面の研究 |
| その他のタイトル | High-resolution X-ray photoelectron spectroscopic study of (NH4)2S(x)-treated InAs (001) surfaces |
| 著者（日） | 鈴木 佳子; 眞田 則明; 福田 安生; 佐々木 澄夫 |
| 著者（英） | Suzuki, Yoshiko; Sanada, Noriaki; Fukuda, Yasuo; Sasaki, Sumio |
| 著者所属（日） | 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所; セイコー電子工業 |
| 著者所属（英） | Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Seiko Instruments Inc |
| 発行日 | 1995-09-28 |
| 刊行物名 | 静岡大学電子工学研究所研究報告
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 巻 | 30 |
| 号 | 1 |
| 開始ページ | 19 |
| 終了ページ | 27 |
| 刊行年月日 | 1995-09-28 |
| 言語 | jpn |
| 抄録 | Chemical state of sulfur on (NH4)2S(x)-treated InAs (001) surfaces has been studied by high-resolution X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). It is found that the chemical state of sulfur bonded to In and As atoms for the as-treated surface. The latter is desorbed upon annealing the sample at 300 C in vacuum and the former remains without changes. It is found that there exists no sulfur bonded to sulfur atoms and to indium atoms under the first layer in contrast with GaAs, GaP and InP.
硫化アンモニウム処理したひ化インジウムの(001)表面上の硫黄の化学状態をX線光電子分光法(XPS)によって研究した。硫化処理表面についてインジウム原子、および砒素原子に結合した硫黄の化学状態が分った。後者は真空中で300度Cに試料をアニールした際に脱着し、前者は変化せずに残留した。GaAs,GaP,InPとは対照的に第1層の下には硫黄原子やインジウム原子に結合した硫黄は存在しないことが分った。 |
| キーワード | high resolution; x ray photoelectron spectroscopy; (NH4)2Sx; InAs crystal; passivation; sulfur; sulfur treated surface; take off angle; spectral resolution; surface composition ratio; chemical state; binding energy; 高分解能; X線光電子分光; 硫化アンモニウム; インジウム砒素結晶; 不動態化; 硫黄; 硫化処理表面; 取り出し角度; スペクトル分解能; 表面組成比; 化学状態; 結合エネルギー |
| 資料種別 | Technical Report |
| ISSN | 0286-3383 |
| SHI-NO | AA0008397003 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/35734 |
