| タイトル | 組成変換法によるGaP基板上GaNの成長 |
| その他のタイトル | Growth of GaN layers on a GaP substrate using the compositional conversion technique |
| 著者（日） | 助川 徳三; 勝野 広宣; 川口 俊次; 斉藤 敏正; 木村 雅和; 田中 昭 |
| 著者（英） | Sukegawa, Tokuzo; Katsuno, Hironobu; Kawaguchi, Shunji; Saito, Toshimasa; Kimura, Masakazu; Tanaka, Akira |
| 著者所属（日） | 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所; 静岡大学電子工学研究所 |
| 著者所属（英） | Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University; Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発行日 | 1998-03-16 |
| 刊行物名 | 静岡大学電子工学研究所研究報告
Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 巻 | 32 |
| 開始ページ | 71 |
| 終了ページ | 74 |
| 刊行年月日 | 1998-03-16 |
| 言語 | jpn |
| 抄録 | A growth method of GaN layers on an electric-conductive and cleavable substrate has been described. GaAs layers grown on a GaP(111)B substrate were converted to GaN by contacting to 100 percent NH3 gas at 800-850 C for 30-60 min. X-ray diffraction and photoluminescence measurements suggested that the GaN layer had mainly the zinc blend structure.
導電性へき開基板上のGaN層の成長方法を示した。GaP(111)B基板上に成長したGaAs層を800?850度Cで30?60分間100%NH3ガスに接触させることによりGaNに変換した。X線回折測定およびフォトルミネッセンス測定により、GaN層は主に閃亜鉛鉱型構造をしていることがわかった。 |
| キーワード | gallium phosphide substrate; gallium nitride; crystal growth; compositional conversion technique; lattice mismatch mixed crystal; gallium arsenide; zinc blend structure; リン化ガリウム基板; 窒化ガリウム; 結晶成長; 組成変換法; 格子不整合混晶; ひ化ガリウム; 閃亜鉛鉱型構造 |
| 資料種別 | Technical Report |
| ISSN | 0286-3383 |
| SHI-NO | AA0001336011 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/36182 |
