| タイトル | Technical Report of ISSP Ser. A: Number 3120 |
| その他のタイトル | Atomic diffusion and electronic structures of Ce/Ni(110) and Ce/Cu(110) systems
Ce/Ni(110)およびCe/Cu(110)系の原子拡散と電子構造 |
| 著者（日） | 岡根 哲夫; 山田 ミツキ; 鈴木 章二; 佐藤 繁; 柿崎 明人; 小林 峰; 霜田 進; 岩木 正哉; 青野 正和 |
| 著者（英） | Okane, Tetsuo; Yamada, Mitsuki; Suzuki, Shoji; Sato, Shigeru; Kakizaki, Akihito; Kobayashi, Takane; Shimoda, Susumu; Iwaki, Masaya; Aono, Masakazu |
| 著者所属（日） | 東北大学 理学部 物理学科; 東北大学 理学部 物理学科; 東北大学 理学部 物理学科; 東北大学 理学部 物理学科; 東京大学物性研究所 軌道放射物性研究施設; 理化学研究所; 理化学研究所; 理化学研究所; 理化学研究所 |
| 著者所属（英） | Tohoku University Department of Physics, Faculty of Science; Tohoku University Department of Physics, Faculty of Science; Tohoku University Department of Physics, Faculty of Science; Tohoku University Department of Physics, Faculty of Science; Institute for Solid State Physics, University of Tokyo Synchrotron Radiation Laboratory; Institute of Physical and Chemical Research; Institute of Physical and Chemical Research; Institute of Physical and Chemical Research; Institute of Physical and Chemical Research |
| 発行日 | 1996-02 |
| 発行機関など | Institute for Solid State Physics, University of Tokyo |
| 刊行物名 | Technical Report of ISSP Ser. A
Technical Report of ISSP Ser. A |
| 号 | 3120 |
| 開始ページ | 1冊 |
| 刊行年月日 | 1996-02 |
| 言語 | eng |
| 抄録 | The electronic structures of Ce/Ni(110) and Ce/Cu(110) systems have been studied by the 4d approaches 4f resonant photoemission using synchrotron radiation and the Ce 3d core-level X-ray photoemission. The distribution of component atoms in surface layers of Ce/Ni(110) system was also investigated by the medium energy ion scattering. In Ce/Ni(110) system, interdiffusion between Ce and Ni atoms causes variation in the strength of hybridization between 4f and conduction electrons, although the hybridization strength does not have monotonic relation with the Ce concentration in the surface layers derived from the ion scattering experiment. In Ce/Cu(110) system, it was found that the hybridization is very weak in comparison with the case of Ce/Ni(110) system and is insensitive to the Ce concentration in the surface layers.
シンクロトロン放射を用いた4d→4f共鳴光電子放出およびCe3dコア準位X線光電子放出により,Ce/Ni(110)およびCe/Cu(110)系の電子構造を調べた。中間エネルギーイオン散乱によりCe/Ni(110)系の表面層における成分原子の分布についても調べた。Ce/Ni(110)系においてCeおよびNi原子の間の相互拡散は4fおよび伝導電子間の混成の強さに変化をもたらす。しかし混成の強さはイオン散乱実験から導出した表面層におけるCe濃度と単調な関係は見られなかった。Ce/Cu(110)系においては、Ce/N(110)系の場合と比較して混成は非常に弱く、表面層におけるCe濃度に対して敏感ではなかった。 |
| キーワード | cerium; nickel; copper; atomic diffusion; electronic structure; surface structure; synchrotron radiation; resonant photoemission; X ray photoemissiom; ion scattering; inter diffusion; conduction electron; hybridization; concentration; セリウム; ニッケル; 銅; 原子拡散; 電子構造; 表面構造; シンクロトロン放射; 共鳴光電子放出; X線光電子放出; イオン散乱; 相互拡散; 伝導電子; 混成; 濃度 |
| 資料種別 | Journal Article |
| ISSN | 0082-4798 |
| SHI-NO | AA0000423000 |
| レポートNO | ISSP-Ser.A-No.3120 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/36675 |
