| タイトル | Comment on 'Temperature dependence of electrical properties of non-doped and nitrogen-doped beta-SiC single crystals grown by chemical vapor deposition' |
| 著者（英） | Matus, L. G.; Haugland, E. J.; Segall, B.; Alterovitz, S. A. |
| 著者所属（英） | Case Western Reserve Univ.|NASA Lewis Research Center |
| 発行日 | 1987-05-25 |
| 言語 | eng |
| 内容記述 | |
| NASA分類 | SOLID-STATE PHYSICS |
| レポートNO | 87A42846 |
| 権利 | Copyright |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/377198 |
|
