Technical Report of ISSP Ser. A: Number 3038

Abstract

Soft X-ray Emission (SXE) studies of several semiconductors and early transition metal compounds have been carried out. In the case of transition metal compounds, the comparison between Photoemission (PES) and SXE spectra shows that the fluorescence spectra are consistent with PES spectra, but the elastic- and inelastic-light scattering spectra reflects the initial 3d states which may be related with the charge transfer state. On the other hand, the inelastic-light (Raman) scattering spectra of semiconductors have been measured in the energy region corresponding to the core exciton states. The Raman scattering spectra whose energy shifts in proportion to the excitation energy are found in the excitation energy region below the absorption edge. It is found that the Raman scattering of semiconductor emits the valence exciton as an elementary excitation.

数種の半導体および初期遷移金属化合物の軟X線発生(SXE)研究を行った。遷移金属化合物の場合には光電子放出(PES)とSXEスペクトル間の比較では、蛍光スペクトルはPESスペクトルと矛盾しないが、弾性および非弾性光散乱スペクトルは電荷移動状態と合致する可能性がある初期3d状態を反映していることを示す。他方で、半導体の非弾性光(ラマン)散乱スペクトルをコア励起子状態に対応するエネルギー領域で測定した。そのエネルギーが励起エネルギーに比例して転位するラマン散乱スペクトルは吸収端下の励起エネルギー領域に見られる。半導体のラマン散乱は素励起としての価電子励起子を放射する。