| タイトル | 0.25μmCMOS/SIMOX用KrFリソグラフィ技術 |
| その他のタイトル | KrF lithography for 0.25-micrometer CMOS/SIMOX pattern fabrication |
| 著者（日） | 河合 義夫; 大高 明浩; 中村 二朗; 田中 啓順 |
| 著者（英） | Kawai, Yoshio; Otaka, Akihiro; Nakamura, Jiro; Tanaka, Akinobu |
| 著者所属（日） | 日本電信電話 システムエレクトロニクス研究所; 日本電信電話 システムエレクトロニクス研究所; 日本電信電話 システムエレクトロニクス研究所; 日本電信電話 システムエレクトロニクス研究所 |
| 著者所属（英） | Nippon Telegraph and Telephone Corporation System Electronics Laboratories; Nippon Telegraph and Telephone Corporation System Electronics Laboratories; Nippon Telegraph and Telephone Corporation System Electronics Laboratories; Nippon Telegraph and Telephone Corporation System Electronics Laboratories |
| 発行日 | 1997-04-10 |
| 刊行物名 | NTT R & D
NTT R & D |
| 巻 | 46 |
| 号 | 4 |
| 開始ページ | 117 |
| 終了ページ | 124 |
| 刊行年月日 | 1997-04-10 |
| 言語 | jpn |
| 抄録 | A 0.25-micrometer pattern has been fabricated using KrF lithography, which has an advantage in precise pattern replication because its wavelength is shorter than in previous lithographies. A novel chemically amplified positive resist for KrF lithography has been developed, and pattern size error of less than +/-10 percent and overlay error of less than 0.12 micrometer in LSI (Large Scale Integration) fabrication has been obtained. KrF lithography has been applied to all the lithographic layers of a tentative VLSI (Very LSI) production; not only the gate pattern but also noncritical layers such as the mask pattern for ion implantation.
KrF露光用化学増幅型レジスト材料を開発するとともに、KrFエキシマレーザ(波長0.248マイクロメートル)を光源に用いた縮小投影露光技術による0.25マイクロメートルパターン形成技術を確立した。本技術は、形成するパターン寸法と同程度まで露光波長を短波長化したことにより、マスクに忠実なパターン転写が行える利点を有しており、ゲートパターン形成はもとより、イオン注入などノンクリティカル層を含め、LSI(大規模集積回路)試作全層に適用した。その結果、LSI試作において要求される±10%以内のパターン寸法精度および0.12マイクロメートル以内の重ね合せ精度を達成することができた。 |
| キーワード | lithography; krypton fluoride lithography; CMOS technology; complementary metal oxide semiconductor technology; SIMOX; separation by implanted oxygen; pattern generation; chemically amplified resist; projection lithography; phase sift masking; acid inactivation prevention; resist antireflective film; CMOS gate array; complementary metal oxide semiconductor gate array; LSI; リソグラフィ; ふっ化クリプトンリソグラフィ; CMOS技術; 相補型金属酸化物半導体技術; SIMOX; 酸素注入による分離; パターン形成; 化学増幅型レジスト; 投影露光; 位相シフトマスキング; 酸失活防止; レジスト反射防止膜; CMOSゲートアレイ; 相補型金属酸化物半導体ゲートアレイ; LSI |
| 資料種別 | Journal Article |
| ISSN | 0915-2326 |
| SHI-NO | AA0000917013 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/39258 |
