| タイトル | Bonding and interfacial structures of SiC/Zr joint |
| その他のタイトル | SiC/Zr接合の結合と界面の構造 |
| 著者（日） | 深井 卓; 奈賀 正明; Schuster, J. C. |
| 著者（英） | Fukai, Takashi; Naka, Masaaki; Schuster, J. C. |
| 著者所属（日） | 大阪大学接合科学研究所; 大阪大学接合科学研究所; University of Vienna |
| 著者所属（英） | Joining and Welding Research Institute, Osaka University; Joining and Welding Research Institute, Osaka University; University of Vienna |
| 発行日 | 1996-07 |
| 刊行物名 | Transactions of JWRI
Transactions of JWRI |
| 巻 | 25 |
| 号 | 1 |
| 開始ページ | 59 |
| 終了ページ | 62 |
| 刊行年月日 | 1996-07 |
| 言語 | eng |
| 抄録 | Phase reactions and compounds between SiC and Zr were investigated at bonding temperatures of 1,473 and 1,573 K. Zr reacts with SiC, and forms ZrC next to the Zr and Zr5Si3Cx accompanying Zr2Si beside the SiC. The diffusion of silicon and carbon continue from SiC, and ZrC between SiC and Zr5Si3Cx were formed during bonding. At bonding time of 1.8 ks or more at 1,573 K the complete diffusion path was established between SiC and Zr as, SiC/ZrC/Zr5Si3Cx/Zr2Si/ZrCx/Z. This diffusion path is correlated with the corresponding Si-Zr-C phase diagram.
SiCとZr間の相反応と化合物を、接合温度1,473および1,573度Kで調べた。ZrはSiCと反応して、Zr近傍ではZrCを形成し、SiC側ではZr2Siを伴うZr5Si3C(x)を形成した。SiCからはけい素と炭素が絶えず拡散して来て、結合中にSiCとZr5Si3C(x)間にZrCを形成した。1,573度Kで1.8ks以上の接合時間で、SiCとZr間の拡散経路の形成は完結し、SiC/ZrC/Zr5Si3C(x)/Zr2Si/ZrC(x)/Zrとなった。この拡散経路は、相当するSi-Zr-C状態図に関連している。 |
| キーワード | ceramic metal joining; interface structure; diffusion; silicon carbide; zirconium; zirconium silicide; zirconium carbide; diffusion path; phase diagram; セラミック金属接合; 界面構造; 拡散; 炭化けい素; ジルコニウム; けい化ジルコニウム; 炭化ジルコニウム; 拡散経路; 状態図 |
| 資料種別 | Technical Report |
| ISSN | 0387-4508 |
| SHI-NO | AA0000620009 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/40368 |
