タイトル | Continual structural evolution of the Si(111)6x6-Au surface studied by scanning tunneling microscopy |
その他のタイトル | 走査トンネル顕微鏡法で調べたSi(111)6×6Au表面の連続構造成長 |
著者(日) | 高見 和秀; 福士 大地; 中山 知信; 桑原 裕司; 宇田 応之; 青野 正和 |
著者(英) | Takami, Kazuhide; Fukushi, Daiji; Nakayama, Tomonobu; Kuwahara, Yuji; Uda, Masayuki; Aono, Masakazu |
著者所属(日) | 理化学研究所 表面界面工学研究室; 早稲田大学 理工学部 材料工学科; 理化学研究所 表面界面工学研究室; 理化学研究所 表面界面工学研究室; 早稲田大学 理工学部 材料工学科; 理化学研究所 表面界面工学研究室 |
著者所属(英) | Institute of Physical and Chemical Research Surface and Interface Laboratory; Waseda University Department of Materials Science and Engineering, School of Sci. and Eng.; Institute of Physical and Chemical Research Surface and Interface Laboratory; Institute of Physical and Chemical Research Surface and Interface Laboratory; Waseda University Department of Materials Science and Engineering, School of Sci. and Eng.; Institute of Physical and Chemical Research Surface and Interface Laboratory |
発行日 | 1994-10 |
発行機関など | Institute of Physical and Chemical Research |
刊行物名 | RIKEN Review RIKEN Review |
号 | 7 |
開始ページ | 5 |
終了ページ | 6 |
刊行年月日 | 1994-10 |
言語 | eng |
抄録 | Continual structural evolution of the Si(111)6 x 6-Au surface has been studied with scanning tunneling microscopy. Three types of the 6 x 6 phase have been observed by changing the coverage of Au (theta) and the condition of annealing. The 6 x 6 phase is defective at theta approximately 1.1 Monolayer (ML) but more ordered with increasing theta. At theta approximately 1.4 ML, a well-ordered 6 x 6 structure is obtained. This result indicates that the 6 x 6 phase has the most fundamental structure at theta approximately 1.4 ML. 走査トンネル顕微鏡によって、Si(111)6×6Au表面の連続構造成長を調べた。Au(θ)の蒸着範囲と焼き鈍しの条件を変えることによって3種類の6×6相を観測した。6×6相はθ?1.1単分子層で欠陥を持ち、θを増加させることによって一層整列していった。θ?1.4単分子層では、十分整列した6×6構造が得られた。この結果は、6×6相がθ?1.4単分子層で最も基本的な構造であることを示した。 |
キーワード | silicon; crystal surface; gold; continual structural evolution; scanning tunneling microscopy; deposition; annealing; monolayer; defect; atomic rearrangement; scanning tunneling microscope; けい素; 結晶表面; 金; 連続構造成長; 走査トンネル顕徴鏡法; 蒸着; 焼き鈍し; 単分子層; 欠陥; 原子再配列; 走査トンネル顕微鏡 |
資料種別 | Technical Report |
ISSN | 0919-3405 |
SHI-NO | AA0006252002 |
URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/40430 |