| タイトル | Shield Boosts Silicon-Growth Rate |
| 著者（英） | Lane, R. L. |
| 著者所属（英） | Jet Propulsion Lab., California Inst. of Tech. |
| 発行日 | 1984-04-01 |
| 言語 | eng |
| 内容記述 | Radiation shield permits faster growth--by 20 percent--of singlecrystal silicon from molten silicon by producting sharper thermal gradients near growth front. |
| NASA分類 | FABRICATION TECHNOLOGY |
| レポートNO | 83B10475
NPO-16049 |
| 権利 | No Copyright |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/408010 |
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