| タイトル | Ar/HBrプラズマによるシリコンのエッチング特性 |
| その他のタイトル | Etching characteristics of silicon in inductively coupled A[lc]r/HB[lc]r plasmas |
| 著者（日） | 高橋 正嘉; 南部 健一; 伊藤 篤 |
| 著者（英） | Takahashi, Masayoshi; Nanbu, Kenichi; Ito, Atsushi |
| 著者所属（日） | 東北大学流体科学研究所; 東北大学流体科学研究所; 東北大学 工学部 |
| 著者所属（英） | Institute of Fluid Science, Tohoku University; Institute of Fluid Science, Tohoku University; Tohoku University Faculty of Engineering |
| 発行日 | 2003-09-08 |
| 刊行物名 | 東北大学流体科学研究所報告
The Memoirs of the Institute of Fluid Science, Tohoku University |
| 巻 | 14 |
| 開始ページ | 47 |
| 終了ページ | 55 |
| 刊行年月日 | 2003-09-08 |
| 言語 | jpn |
| 抄録 | 誘導結合型プラズマ発生装置を用いてAr/HBrプラズマによるシリコンのエッチングを行い、Ar/HBr混合比、バイアスパワー、ガス圧力の変化によるエッチング特性(エッチング速度、エッチング速度分布など)について調べた。実験結果からエッチング速度にはバイアスパワーの強い依存性がみられ、またエッチング速度が大きくなるにつれてウエハー面内分布の一様性が崩れて行くことが分かった。またHBrプラズマによるシリコンのエッチング速度は、Cl2プラズマによるエッチング速度より小さいことが実験的に明らかにされた。 |
| キーワード | inductively coupled Ar/HBr plasma; Si wafer; plasma etching; Ar; HBr; mixing ratio; gas pressure; research and development; electron collision cross section; electron density; high density plasma; pressure dependence; 誘導結合型Ar/HBrプラズマ; Siウェーハ; プラズマ・エッチング; アルゴン; 臭化水素; 混合比; 気体圧; 研究開発; 電子衝突断面積; 電子密度; 高密度プラズマ; 圧力依存性 |
| 資料種別 | Technical Report |
| ISSN | 0916-2860 |
| SHI-NO | AA0046271006 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/41260 |
