| タイトル | Removal of the high-resistivity layer at the n on n/+/ liquid phase epitaxial GaAs layer-substrate interface by controlled in situ etch-back |
| 著者（英） | Seabaugh, A. C.; Mattauch, R. J. |
| 著者所属（英） | Virginia Univ. |
| 発行日 | 1980-12-01 |
| 言語 | eng |
| 内容記述 | |
| NASA分類 | SOLID-STATE PHYSICS |
| レポートNO | 81A22162 |
| 権利 | Copyright |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/418039 |
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