Technical Report of ISSP Ser. A: Number 2908

Abstract

The electronic structures of Ce/Ni(110) system by the 4d-4f resonant photoemission have been studied using synchrotron radiation and the Ce 3d core-level x-ray photoemission. The results are interpreted in conjunction with the inter-diffusion of Ce and Ni atoms through the interface. The annealing after the deposition of Ce causes active diffusion of Ce atoms into the Ni substrate and Ni atoms into the Ce layers and brings about a well-ordered surface. Both the Ce 3d core-level and valence band spectra show remarkable changes depending on the degree of inter-diffusion between Ce and Ni at the interface. It is revealed that a close relation exists between the Ce concentration and strength of the 4f-conduction-states hybridization for electrons in the surface layer. The importance of the Ce4f-Ni3d hybridization is emphasized.

シンクロトロン放射とCe3dコア準位X線光電子を用いて4d→4f共鳴光電子によるCe/Ni(110)系の電子構造を調べた。結果を界面を通してのCe原子と Ni原子の内部拡散により説明した。Ceを蒸着した後の焼き鈍しにより、Ce原子のNi基盤への能動拡散およびNi原子のCe層への能動拡散が起こり、かつ良く秩序化された表面が形成される。Ce3dコア準位と価電子帯スペクトルは界面におけるCEとNi間の相互拡散の度合に依存した顕著な変化を示す。表面層における電子に対して4f伝導状態のハイブリッド化の強さとCe濃度との間に密接な関係があることが明らかになった。