SIS photon detectors: An introduction of SIS photon detectors for IR and submillimeter waves

Abstract

The Semiconductor-Insulator-Semiconductor (SIS) photon detector which directly absorb photons whose energy is larger than the binding energy of cooper pairs was proposed. The SIS photon detector has a potential to achieve much smaller Noise Equivalent Power (NEP) than that of 0.3 K cooled bolometers. To examine the possibility of SIS photon detector, some experiments were performed. Temperature dependence of dark current was measured. Thin Nb films of 100 angsrom thick were fabricated and evaluated their quality. Perspectives to realize NEP of approximately 10(exp -17)WHz(exp -1/2) at 400 micrometer were obtained.

クーパー対の結合エネルギーより大きいエネルギーである光子のエネルギーを直接吸収するSIS光子検出器を提案した。SIS光子検出器はより小さい雑音等価電力(NEP)を達成する可能性を持っている。SIS光子検出器の能力を調査するために、いくつかの実験を行った。暗電流の温度依存性を測定した。厚さ100オングストロームのNbフィルムを作成し、その品質を評価した。400マイクロメータにおける、ほぼ10{-17}WHz{-1/2}のNEPを確定する見通しが得られた。