ZnS蒸着薄膜の結晶化に及ぼす製作条件の影響

Abstract

硫化亜鉛薄膜を40度Cから200度Cの基板温度範囲で真空蒸着法により石英ガラス上に作成した。100度Cから750度Cの温度範囲で空気中で熱処理後にフイルムの結晶性をX線回折像を測定することにより研究した。蒸着中の基板温度が160度Cである時に単位厚さ当りの回折像のピーク強度は最高値を示す。膜の堆積後の空気中での熱処理は抵抗加熱法による蒸着のケースでは550度Cで、電子ビーム加熱法のケースでは500度Cで非常に良い効果を持っている。蒸着速度が2.5nm/sである時に単位厚さ当りのピーク強度は最高値を示し、膜厚が400nmを越えるとピーク強度は次第に一定になることが明らかになった。

The ZnS thin films have been prepared on a quartz glass by the vacuum evaporation method at substrate temperatures ranging from 40 C to 200 C. After heat treatment in air at temperatures ranging from 100 C to 750 C, the crystallinity of the films has been investigated by measuring the X-ray diffraction patterns. When the substrate temperature during evaporation is 160 C, the intensity of the diffraction patterns per unit thickness shows the maximum value. The heat treatment in air after film deposition has a very good effect on the patterns at 550 C in the case of deposition by the thermally heating method, and at 500 C in the case of the electron beam heating method. It is revealed that the intensity per unit thickness shows the maximum value when the deposition rate is 2.5 nm/s, and that it becomes gradually constant when the film thickness is over 400 nm.