| タイトル | サブミクロンサイズGaAsMESFETのデバイスシミュレーションのための熱流項のモデリング |
| その他のタイトル | Modeling heat flow term for device simulation of submicron G[lc]aA[lc]s MESFETs |
| 著者（日） | 山田 佳規 |
| 著者（英） | Yamada, Yoshinori |
| 著者所属（日） | 九州東海大学 応用情報学部 情報システム学科 |
| 著者所属（英） | Kyushu Tokai University Department of Information Science, School of Information Science |
| 発行日 | 2003-03-31 |
| 刊行物名 | 九州東海大学紀要:応用情報学部 工学部
Bulletin of School of Information Science, School of Engineering, Kyushu Tokai University |
| 開始ページ | 19 |
| 終了ページ | 23 |
| 刊行年月日 | 2003-03-31 |
| 言語 | jpn
eng |
| 抄録 | The heat flow term included in a hydrodynamic model (HD) is first evaluated in a GaAs MESFET with a submicrometer gate-length using an exact ensemble Monte Carlo simulation (EMC). It is found out that the term is not negligibly small and the conventional model underestimates it. A much better model is presented. It is important to accept the relaxation time of momentum and the valley population ratios the energy dependencies of which should reflect the transport properties observed under the real nonuniform electric field of the devices. |
| キーワード | mathematical model; heat flow term; device simulation; Monte Carlo simulation; hydrodynamic model; transport property; electron transport; field effect transistor; gallium arsenide; 数学モデル; 熱流項; デバイスシミュレーション; モンテカルロシミュレーション; 流体力学モデル; 輸送特性; 電子輸送; 電界効果型トランジスタ; 砒化ガリウム |
| 資料種別 | Technical Report |
| ISSN | 0286-4002 |
| SHI-NO | AA0045382001 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/47321 |
