| タイトル | Complementary MOS - Bipolar transistor structure |
| 著者（英） | Lin, H. C.; Iyer, R. R.; Kwong, K.; Ho, J. C. |
| 発行日 | 1969-11-01 |
| 言語 | eng |
| 内容記述 | Bipolar n-p-n transistors fabrication to increase driving capabilities of complementary MOS transistors while retaining low power dissipation |
| NASA分類 | ELECTRONIC EQUIPMENT |
| レポートNO | 70A16419 |
| 権利 | Copyright |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/474209 |
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