耐放射線ハイブリッドIC(マルチチップモジュール)の開発

Abstract

一般に、放射線は電子機器の機能・性能に影響を与えるため、原子力分野および宇宙分野において放射線環境下で適用される電子機器に対しては、高いレベルの耐放射線性要求が極めて強い。しかし、高放射線環境で使用可能な半導体は開発されていないのが現状である。宇宙用に開発した高信頼性ハイブリッドICをベースとして、耐放射線能力を向上させたハイブリッドICを開発し、γ線に対する評価を行なった。その結果、総吸収線量で5×10{6}rad(5×10{4}Gy)クラスの耐放射線能力を確認し、開発目標の1×10{6}radを達成した。

It has been known that radiation degrades the properties of electronic equipments. Therefore the needs for the radiation-hardened (rad-hard) electronic equipments have greatly increased in nuclear and space applications. As of today, the semiconductors capable of satisfactory operation in such radiation environments have not been developed yet. In consideration of these needs, Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. have successfully developed the rad-hard Hybrid-IC improving the high-reliability Hybrid-IC already developed for space equipments. In the radiation exposure test of samples, it was confirmed that all samples operated normally without damage under the max. total dose of 5 x 10(exp 6) rad (5 x 10(exp 4)Gy).