タイトル | Avalanche multiplication in inas photodiodes. |
著者(英) | Lucovsky, G.; Emmons, R. B. |
発行日 | 1965-02-01 |
言語 | eng |
内容記述 | Avalanche multiplication in reverse biased indium arsenide p-n junction photodiodes operated at 300 degrees K |
NASA分類 | PHYSICS, SOLID-STATE |
レポートNO | 65A19607 |
権利 | Copyright |
|