| タイトル | Fullerene C60-incorporated nanocomposite resist system |
| その他のタイトル | フラーレンC60組込みナノ複合レジストシステム |
| 著者（日） | 石井 哲好; 野澤 博; 玉村 敏昭 |
| 著者（英） | Ishii, Tetsuyoshi; Nozawa, Hiroshi; Tamamura, Toshiaki |
| 著者所属（日） | 日本電信電話 光エレクトロニクス研究所; 日本電信電話 光エレクトロニクス研究所; 日本電信電話 光エレクトロニクス研究所 |
| 著者所属（英） | Nippon Telegraph and Telephone Corporation Opto-electronics Laboratories; Nippon Telegraph and Telephone Corporation Opto-electronics Laboratories; Nippon Telegraph and Telephone Corporation Opto-electronics Laboratories |
| 発行日 | 1997-11 |
| 刊行物名 | NTT Review
NTT Review |
| 巻 | 9 |
| 号 | 6 |
| 開始ページ | 99 |
| 終了ページ | 103 |
| 刊行年月日 | 1997-11 |
| 言語 | eng |
| 抄録 | A nanocomposite resist system that incorporates fullerene C60 into a conventional resist material is proposed for ultrafine pattern fabrication. A C60-incorporated ZEP resist shows enhancements of pattern contrast, etching resistance, thermal resistance, and mechanical strength and enables to fabricate a 45-nm feature X-ray mask.
フラーレンC60を従来のレジスト材料に含有させたナノ複合レジストシステムを超微細パターン製造に対して提案した。C60組込みZEPレジストにより、パターンコントラスト、エッチング耐性、熱耐性および機械的強度を増強でき、45nmフィーチャX線マスクを製造できる。 |
| キーワード | nanometer pattern formation; nanocomposite resist system; fullerene C60; electron beam positive resist; X ray mask; pattern contrast; etching resistance; thermal resistance; mechanical strength; ナノメータパターン形成; ナノ複合レジストシステム; フラーレンC60; 電子ビームポジ型レジスト; X線マスク; パターンコントラスト; エッチング耐性; 熱耐性; 機械的強度 |
| 資料種別 | Journal Article |
| ISSN | 0915-2334 |
| SHI-NO | AA0001168015 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/50661 |
