Temperature dependence of Al-LVV Auger electron spectra, 2

Abstract

Multiple electron holes created in the valence band composed of s- or p-like electrons are annihilated promptly, and their effect on Auger electron spectra was scarcely observed for the impact of various projectiles incident at large angles with respect to the surface of a target. The observed temperature dependence as well as the clear projectile and incident angle dependence could be explained by a model of transportation of multiple electron holes in the valence band. The binding energies of valence electrons were considered to increase with the existence of those holes via Coulomb potential, and the kinetic energies of Auger electrons decreased. When a projectile excited an L-shell electron of an Al-atom located at the top-most layer of the surface, valence electrons were also excited and emitted from the surface, and multiple holes were left behind. The density of them was proportional to the projectile's stopping power. It was the cause of the projectile dependence. Thus the projectile dependence, the incident angle dependence, and the temperature dependence of Al-LVV Auger electrons could be explained by the multiple hole transportation model.

s状またはp状電子からなる価電子帯中に生成される多重ホールは瞬間的に消滅してしまうため、標的表面に対する入射角が大きい場合、どのような入射体の衝突についても、多重ホールのオージェ電子スペクトルへの影響はほとんど観測されていない。本研究で観測した温度依存性、入射粒子依存性、入射角依存性は価電子帯での多重電子ホールの輸送模型で説明できる。価電子の結合エネルギーはホールの存在によってクーロンポテンシャルを通じて増加すると考えられており、このためオージェ電子の運動エネルギーは減少する。入射粒子が表面最外層に位置するAl原子L殻電子を励起すると、価電子も励起され表面から放出されて後に多重ホールが残る。それらの密度は入射粒子の阻止能に比例している。これが入射粒子依存性の原因である。このようにして、Al-LVVオージェ電子の入射粒子依存性、入射角依存性、温度依存性を多重ホール輸送模型で説明できる。