| タイトル | Phenomenological study of radiation damage and recovery of metal-oxide field effect transistors |
| 著者（英） | Van Allen, R. L.; Desai, U. D.; Wolfgang, J. L., Jr. |
| 著者所属（英） | NASA Goddard Space Flight Center |
| 発行日 | 1967-06-01 |
| 言語 | eng |
| 内容記述 | Phenomenological study of radiation damage and recovery of metal oxide semiconductor field effect transistors |
| NASA分類 | ELECTRONIC EQUIPMENT |
| レポートNO | 67N31601 |
| 権利 | No Copyright |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/519165 |
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