| タイトル | First-principles study on mixing-layer formation at metal/semiconductor interfaces |
| その他のタイトル | 金属・半導体界面における混合層形成の第1原理研究 |
| 著者（日） | 中山 隆史 |
| 著者（英） | Nakayama, Takashi |
| 著者所属（日） | 千葉大学 理学部 物理学科 |
| 著者所属（英） | Chiba University Department of Physics, Faculty of Science |
| 発行日 | 2004-05-31 |
| 刊行物名 | Activity Report 2003: Materials Design and Characterization Laboratory, Super Computer Center
Activity Report 2003: Materials Design and Characterization Laboratory, Super Computer Center |
| 開始ページ | 87 |
| 終了ページ | 88 |
| 刊行年月日 | 2004-05-31 |
| 言語 | eng |
| キーワード | metal/semiconductor interface; computation; mixing-layer formation; formation energy; adsorption; boundary layer thickness; crystal growth; atomic structure; 金属・半導体界面; 計算; 混合層形成; 形成エネルギー; 吸着; 境界層厚さ; 結晶成長; 原子構造 |
| 資料種別 | Technical Report |
| SHI-NO | AA0047126017 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/55848 |
