| タイトル | First-principles molecular dynamics simulations of removal processing of Si surfaces interacting with OH molecule |
| その他のタイトル | OH分子と相互作用するSi表面の原子除去過程に関する第一原理分子動力学的シミュレーション |
| 著者（日） | 後藤 英和; 土屋 八郎; 巽 正哉 |
| 著者（英） | Goto, Hidekazu; Tsuchiya, Hachiro; Tatsumi, Masaya |
| 著者所属（日） | 京都工芸繊維大学 工芸学部 機械システム工学科; 京都工芸繊維大学 工芸学部 機械システム工学科; 京都工芸繊維大学 工芸学部 機械システム工学科 |
| 著者所属（英） | Kyoto Institute of Technology Dept. of Mechanical and System Engineering, Faculty of Engineering and Design; Kyoto Institute of Technology Dept. of Mechanical and System Engineering, Faculty of Engineering and Design; Kyoto Institute of Technology Dept. of Mechanical and System Engineering, Faculty of Engineering and Design |
| 発行日 | 1996 |
| 刊行物名 | Activity Report, 1996
Activity Report, 1996 |
| 開始ページ | 73 |
| 終了ページ | 74 |
| 刊行年月日 | 1996 |
| 言語 | eng |
| 抄録 | Applying first-principles molecular dynamics simulation for the H-terminated Si(001) surfaces interacting with OH molecule, it was revealed that the interaction between an OH molecule and the surface silicon atom on the step edge decreases the Si-Si backbond strength and initiates the atomic removal processing.
OH分子と相互作用をするH終端Si(001)表面に対して、第一原理分子動力学的シミュレーションを適用して、ステップ端上の表面Si原子とOH分子との相互作用が、Si-Siの背面結合強度を減少させ原子除去過程を開始させることを明らかにした。 |
| キーワード | first principles molecular dynamics; atomic removal processing; step edge; Si surface structure; OH chemisorption; backbond strength; bond population; charge density distribution; 第一原理分子動力学; 原子除去過程; ステップ端; Si表面構造; OH化学吸着; 背面結合強度; 結合密度; 電荷密度分布 |
| 資料種別 | Technical Report |
| SHI-NO | AA0001140039 |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/56494 |
