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タイトル
Critical phenomena of the metal-insulator transition in doped semiconductors using density functional theory and local density approximation
その他のタイトル
密度汎関数理論と局所密度近似を用いた半導体中での金属絶縁体転移の臨界現象に対する研究
ミツド ハンカンスウ リロン ト キョクショ ミツド キンジ ヲ モチイタ ハンドウタイチュウ デノ キンゾク ゼツエンタイ テンイ ノ リンカイ ゲンショウ ニ タイスル ケンキュウ
本文(外部サイト)
http://ir.library.osaka-u.ac.jp/dspace/bitstream/11094/27467/6/25817_%e8%a6%81%e6%97%a8.pdf
http://ir.library.osaka-u.ac.jp/dspace/bitstream/11094/27467/1/25817_%e8%ab%96%e6%96%87.pdf
参考URL
http://hdl.handle.net/11094/27467
著者(日)
ハラシマ, ヨウスケ; 原嶋, 庸介
著者(英)
Harashima, Yosuke
発行日
2013-03-25
言語
eng
内容記述
25817
博士(理学)
2013-03-25
大阪大学
14401甲第16032号
キーワード
Anderson localization; Metal-insulator transition; Electron-electron interaction
資料種別
Thesis or Dissertation
著者版フラグ
ETD
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