JAXA Repository / AIREX 未来へ続く、宙(そら)への英知

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タイトルCritical phenomena of the metal-insulator transition in doped semiconductors using density functional theory and local density approximation
その他のタイトル密度汎関数理論と局所密度近似を用いた半導体中での金属絶縁体転移の臨界現象に対する研究
ミツド ハンカンスウ リロン ト キョクショ ミツド キンジ ヲ モチイタ ハンドウタイチュウ デノ キンゾク ゼツエンタイ テンイ ノ リンカイ ゲンショウ ニ タイスル ケンキュウ
本文(外部サイト)http://ir.library.osaka-u.ac.jp/dspace/bitstream/11094/27467/6/25817_%e8%a6%81%e6%97%a8.pdf
http://ir.library.osaka-u.ac.jp/dspace/bitstream/11094/27467/1/25817_%e8%ab%96%e6%96%87.pdf
参考URLhttp://hdl.handle.net/11094/27467
著者(日)ハラシマ, ヨウスケ; 原嶋, 庸介
著者(英)Harashima, Yosuke
発行日2013-03-25
言語eng
内容記述25817
博士(理学)
2013-03-25
大阪大学
14401甲第16032号
キーワードAnderson localization; Metal-insulator transition; Electron-electron interaction
資料種別Thesis or Dissertation
著者版フラグETD


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