| タイトル | Preparation and characterization of B-C-N hybrid thin films |
| その他のタイトル | B-C-Nハイブリッド薄膜の合成と構造解析 |
| DOI | 10.11484/jaea-research-2006-034 |
| 本文（外部サイト） | http://jolissrch-inter.tokai-sc.jaea.go.jp/pdfdata/JAEA-Research-2006-034.pdf |
| 参考URL | http://jolissrch-inter.tokai-sc.jaea.go.jp/search/servlet/search?5001449 |
| 著者（日） | 下山 巖; 関口 哲弘; 馬場 祐治; 永野 正光 |
| 著者（英） | Uddin, M. N.; Nath, K. G. |
| 発行日 | 2006-06 |
| 発行機関など | JAEA |
| 刊行物名 | JAEA-Research 2006-034 |
| 開始ページ | 1 |
| 終了ページ | 72 |
| 刊行年月日 | 2006-06 |
| 言語 | en |
| 内容記述 | イオンビーム蒸着法によりホウ素,炭素,窒素からなる二次元薄膜(B-C-Nハイブリッド薄膜)を合成し、その電子構造と立体構造を放射光を用いた内殻分光法により調べた。B-C-Nハイブリッド薄膜は、種々の温度で高配向性熱分解グラファイト(HOPG)表面にボラジンガスの放電により生成したプラズマを蒸着させることにより合成した。薄膜の構造はX線光電子分光法(XPS)及びX線吸収端微細構造法(NEXAFS)によりその場観察した。XPS測定の結果、薄膜中のホウ素,炭素,窒素原子はB-C, B-N, B-C-Nなど種々の結合状態をとることがわかった。B-C-Nハイブリッドは高温で作成するほど効率よく生成し、ホウ素の濃度が低い領域ではB-C-N結合をもつ薄膜の生成が支配的になることを明らかにした。NEXAFSスペクトルには、B 1s軌道からpi*的性格を持つ価電子帯の非占有軌道への共鳴吸収によるピークが明瞭に観測された。このピークの偏光依存性を調べた結果、ホウ素の濃度が低い領域においてグラファイトと同様な配向性をとる二次元状のB-C-Nハイブリッド薄膜が安定に存在することを明らかにした。
著者所属: 日本原子力研究開発機構(JAEA) |
| 資料種別 | Technical Report |
| URI | https://repository.exst.jaxa.jp/dspace/handle/a-is/617163 |
